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铜膜基底MoSe2

编号:BKTMDC123134
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货号:BKTMDC123134-02
规格:

数 量:

 



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17715390137

详细介绍

 


本公司目前可批量化制造高质量MoSe2薄膜。

目前最大尺寸4英寸圆片,更大尺寸(8,12英寸)即将面市。

制造方法:

化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)

产品简介:

MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。

应用领域:

光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。

典型客户包括:

MIT、加州理工、斯坦福大学;
牛津大学、曼彻斯特大学;
首尔大学、韩国科学技术院(KAIST)、成均馆大学;
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。

二硒化钼孤立晶粒

二硒化钼连续膜(含多层区域)


温馨提示:北京北科新材科技有限供应产品仅用于科研,不能用于人体。网站图片源自互联网,图片仅供参考,请以实物为准,如有侵权请联系我们立即删除。产品参数仅供参考,请以实际值为准!

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