Two-dimensional material micro-nano processing - in situ testing Two-dimensional material micro-nano processing - in situ testing> GaN wafer

产品:10×10.5mm2 GaN self-supporting wafer (Si doped)

Detailed

Performance parameters:

  • Product number GaN-FS-C-N-S10
    Size 10×10.5mm2
    Thickness 350±25μm
    Crystal orientation C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15°
    TTV ≤10μm
    Curvature ≤10μm
    Conductivity type N-type
    Resistivity (300 K) < 0.05Ω·cm
    Dislocation density From 1x105 to 3x106cm-2
    Effective area >90%
    Polished Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished);
    or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)
    Back Surface：0.5~1.5μm;
    option：1-3nm(Fine ground);<0.2nm(polished)
    package Packaged in a class 100 clean room environment,
    in single container,under a nitrogen atmosphere.





Warm tip: the products supplied by Beijing Beike Xincai Technology Co., Ltd. are only used for scientific research, not for human body


Item ID Info
BK2020081705-01 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：Ga-抛光
Parameter：位错密度：1~3 x 106 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$390
BK2020081705-02 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：Ga-抛光
Parameter：位错密度：5~9 x 105 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$490
BK2020081705-03 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：Ga-抛光
Parameter：位错密度：1~5 x 105 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$790
BK2020081705-04 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：N-抛光
Parameter：位错密度：1~3 x 106 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$390
BK2020081705-05 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：N-抛光
Parameter：位错密度：5~9 x 105 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$490
BK2020081705-06 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：N-抛光
Parameter：位错密度：1~5 x 105 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$790
BK2020081705-07 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：Double-抛光
Parameter：位错密度：1~3 x 106 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$430
BK2020081705-08 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：Double-抛光
Parameter：位错密度：5~9 x 105 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$530
BK2020081705-09 CAS：
ID：BK2020081705
Pack：Double-抛光
Parameter：位错密度：1~5 x 105 cm-2
Stock：100
Make up：
Price：$830
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