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二维（2D）过渡金属二硫化物（TMDCs）引起了人们的极大关注，并有望在多个领域中得到应用。然而，由于难以控制在化学气相沉积（CVD）生长过程中将反应物供应至反应的方式，因此难以获得具有清洁表面的均匀TMDCs。
有鉴于此，清华-伯克利深圳学院刘碧录副教授，中科院金属所成会明院士报道了一种“溶解-沉淀”（DP）生长的新生长方法，该方法将金属源密封在玻璃基板内部，以控制其向反应中的进料。
要点1. 在这种方法中，金属源嵌入在两块玻璃之间，并在生长过程中逐渐扩散到上部玻璃的表面。通过这种方式，研究人员实现了金属源的均匀进料，并且仅将反应限制在顶部玻璃的表面，同时，由于金属源和硫源不共享相同的扩散路径，因此避免了任何不需要的气相反应。
要点2. 研究人员采用该方法在厘米级的熔融玻璃表面成功生长出高度均匀的、表面清洁的单层TMDCs。同时，该方法已用于MoSe2、WS2、MoTe2、MoxW(1-x)S2、V掺杂MoS2等多种TMDCs及其合金，具有良好的通用性。
Zhengyang Cai, et al, Dissolution-precipitation growth of uniform and clean two dimensional transition metal dichalcogenides, National Science Review, 2020
DOI：10.1093/nsr/nwaa115
https://doi.org/10.1093/nsr/nwaa115
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