ACS NANO:机械法室温下高效制备MXene量子点
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详细介绍

将层状过渡金属碳化物和/或氮化物(MXenes)转化为厚度和横向尺寸为几纳米的零维结构,能够使这些具有卓越电子特性的材料开发量子限制、边缘效应和大表面积的额外优势。然而,用于转换MXene纳米片和量子点的常规方法涉及极端条件,例如高温和/或刺激性化学物质,除其他缺点外,这些条件会导致材料由于氧化而显著降解。







全文导读



鉴于此,澳大利亚皇家墨尔本理工大学的Leslie Y. Yeo教授等人报告了一种无化学物质的声微流体方法,用于室温下剥离单层或少层Ti3C2Tz MXene纳米片并将其转化为MXene量子点(MQD),从而在合成过程中最大限度地减少其氧化并保持材料的完整性。与通过传统水热法合成获得的高度氧化样品相比,使用这种室温无化学合成方法生产的高纯度MXene量子点作为过氧化氢电化学传感器的电极材料时表现出优异的性能。测试浓度值低至5 nM,是迄今为止基于Ti3C2Tz MXene电化学传感器报道的最佳性能的10倍。相关论文成果以“Acoustomicrofluidic Synthesis of Pristine Ultrathin Ti3C2Tz MXene Nanosheets and Quantum Dots”为题于2021年6月29日发表在ACS NANO上。

该方法(如图1所示)依赖于使用最近发现的一类纳米振幅高频(MHz级)混合声波,称为表面反射体波(SRBW),可用于操纵流体以及块状和2D晶体,用于块状过渡金属二硫属化物的剥离,以及从Ti3AlC2Tz剥离得到Ti3AlC2Tz量子点。与之前的工作相比,表面声波在促进氟化锂质子化为氢氟酸方面发挥了作用,而氢氟酸又从Ti3AlC2中选择性蚀刻Al,从而将其转化为Ti3C2Tz。这项工作展示了直接机械剥离的方法将多层MXene横向切割成单层和少层纳米片和MQD,无需化学或有机碱,如氢氧化四丁基铵或原位嵌入剂。


图1所示:(a)实验装置的示意图,其中多层Ti3C2Tz MXene样品连续输送到SRBW装置,在其顶部雾化形成分层和裂解的Ti3C2Tz气溶胶液滴,这些液滴在玻璃瓶外壳内凝结。(b)观察到在多个循环中收集的冷凝物的连续再雾化(i)横向切割和(ii)将样品分层为逐渐变小和变薄的MXene纳米片和MQD。



图2所示:经过(a)1、(b)5和(c)10个雾化循环后合成的MXene纳米片和MQD的代表性原子力显微镜(AFM)图像和相应的厚度(中)和平均横向直径(右)测量分布。


图3所示:(a)原始多层MXene原料、1次和5次雾化循环后的MXene纳米片、10次雾化循环后的MQD和HMQD(水热法合成量子点)的(a)XRD图和(b)高分辨率XPS图(Ti2p区域)。XPS谱图中还标明了每种情况下TiO2-xFx的面积百分比。

图4所示:(a)UV-vis吸收图(黑色曲线,左轴)、荧光发射图(彩色曲线,右轴;(b)经过10次雾化循环所获得的声学合成的MQD的光致发光(PL)光谱。在(a)中,激发依赖性荧光发射是明显的,最大值出现在360 nm激发处;插图显示了用365 nm紫外灯激发的MQD悬浮液的图像。(b)中,激发波长为400 nm;还显示了HMQD的相应光谱,由于其高TiO2-xFx成分,导致显著较弱的PL发射强度;从插图中显示的PL衰减曲线来看,MQD和HQMD的相应寿命分别为3.4和3.9 ns。


图5所示:在0.1 M PBS中和不同的H2O2浓度下,(a)Naf/MQD/GCE和(b)Naf/HMQD/GCE配置的方波伏安曲线;箭头显示了观察到的H2O2浓度增加的趋势。(c)Naf/MQD/GCE(红线)和Naf/HMQD/GCE(黑线)配置的电流响应和H2O2检测潜力。


总结

MXene纳米片和量子点提供了将增强的电子特性、高导电性和优异的电化学活性的优势与量子限制、边缘效应和大表面积的优势相结合的可能性。合成这些材料的常规方法,包括常见的溶剂热法和水热法,除了耗时长且需要高的温度和危险化学品之外,还会导致样品氧化成TiO2,从而大大降低材料的纯度,导致其在各种应用中的性能下降。在这项工作中,作者报告了一种无化学物质的室温合成方法,通过伴随高频声波驱动的样品雾化的大机械力,将多层MXene分层为单层的MQD。除了相对较快的合成时间外,鉴于芯片级设备的占用空间小且成本低(通过利用与大规模纳米制造相关的规模经济,该方法可以通过大规模设备并行化轻松扩展)。更重要的是,通过这种技术合成的MQD不会受到明显的氧化。除了表现出强烈的紫外线吸收和激发依赖性荧光外,该材料的高纯度导致其作为电化学传感电极材料的性能明显更好,特别是H2O2,表现出检测浓度可低至5 nM,这是迄今为止Ti3C2Tz MXene电化学传感器达到的最低值。

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