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TSV技术（穿透硅通孔技术），一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。北科纳米掌握TSV最新技术，能够帮助客户完成TSV个性化要求。
TSV技术作为微电子制造最具前途的技术之一，目前已经广泛应用于MEMS器件，存储器，图像传感器，功率放大器，生物应用设备和多种手机芯片。
通孔直径: 20-30um 深宽比：10:1 通孔材料：铜，金 通孔状态：实心孔，空心孔
图形可定制 通孔良率高 可批量生产 工艺技术成熟
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