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FTO基底MoS2

编号:BKTMDC123034
CAS号:
价格: ¥1400
货号:BKTMDC123034-03
规格:

数 量:


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详细介绍

 


  本公司目前可批量化制造高质量单层MoS2薄膜。

目前最大尺寸4英寸圆片,更大尺寸(8,12英寸)即将面市。

基本性质:

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。

制造方法:

化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)

产品简介:

MoS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层MoS2 连续薄膜。
4) 基底:MoS2可选基底较多,其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

其氧化层厚度为300nm或其他厚度。

应用领域:

光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。

典型客户包括:

MIT、加州理工、斯坦福大学;
牛津大学、曼彻斯特大学;
首尔大学、韩国科学技术院(KAIST)、成均馆大学;
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。

单层MoS2孤立晶粒                     单层MoS2连续薄膜


MoS2-Mapping(600).jpg

MoS2-PLTest(600).jpg

AFM data of MoS2


Raman shift of MoS2

二氧化硅/硅基底二硫化钼薄膜

石英基底二硫化钼薄膜

蓝宝石基底二硫化钼薄膜

单层MoS2                                                         多层MoS2


参考文献:

1)Gao, Min-Rui, Jin-Xia Liang, Ya-Rong Zheng, Yun-Fei Xu, Jun Jiang, Qiang Gao, Jun Li, and Shu-Hong Yu. "An efficient molybdenum disulfide/cobalt diselenide hybrid catalyst for electrochemical hydrogen generation." Nature communications 6 (2015): 5982.
https://www.nature.com/articles/ncomms6982
2) Radisavljevic, Branimir, Aleksandra Radenovic, Jacopo Brivio, I. V. Giacometti, and A. Kis. "Single-layer MoS 2 transistors." Nature nanotechnology 6, no. 3 (2011): 147.
https://www.nature.com/articles/nnano.2010.279
3) Wang, Qing Hua, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman, and Michael S. Strano. "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides." Nature nanotechnology 7, no. 11 (2012): 699.
https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193
4)顾品超, 张楷亮, 冯玉林, 王芳, 苗银萍, 韩叶梅, and 张韩霞. "层状二硫化钼研究进展." 物理学报 65, no. 1 (2016): 18102-018102.
http://wulixb.iphy.ac.cn/fileup/PDF/2016-1-018102.pdf




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