产品型号 | GaN-FS-C-SI-S10 |
尺寸 | 10×10.5mm2 |
厚度 | 350±25μm |
晶体取向 | C-plane(0001)off angle toward M-Axis 0.35°±0.15° |
TTV | ≤10μm |
弯曲度 | ≤10μm |
导电类型 | Semi-Insulating |
电阻率(300 K) | > 106Ω·cm |
位错密度 | From 1x105to 3x106cm-2 |
有效面积 | >90% |
抛光 |
Front Surface:Ra<0.2 nm(polished); or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy) |
Back Surface:0.5~1.5μm; option:1-3nm(Fine ground);<0.2nm(polished) |
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包装 |
Packaged in a class 100 clean room environment, in single container,under a nitrogen atmosphere. |
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