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纯度：≥99.5单相
粒度：D50:5~10微米
熔点：1102°C
密度：1.94g/cm3
用途: 金属硅化物材料具有许多优异的热学、电学及力学性能，其中硅化镁是Mg-Si二元体系的唯一稳定化合物， 它具有高熔点、高硬度、高弹性模量的特性是一种窄带陳n型半导体材料，在光电子器件、电子器件、能源器件、激光、半导体制造、恒温控制通讯等领域有重要应用前景。
Mg2Si薄膜的工艺可以很好地与si工艺兼容,因此Mg25i/si异质结结构具有重大的研究价值。本文采用磁控溅射方法分别.
在s衬底、绝缘衬底上制备环境友好型Mg2Si薄膜研究溅射Mg膜厚度对Mg2si薄膜质量的影响,在此基础上围绕Mg2Si
基异质结LED器件制备工艺进行研究并对Mg2Si薄膜的电学、光学性质进行研究。首先在室温下采用磁控溅射方法,在Si
衬底上沉积Mg膜，绝缘玻璃衬底上沉积si膜和Mg膜然后在低真空(10-1Pa-10-2Pa)氛围下进行热处理制备Mg2Si薄膜。
XRD、SEM结果表明,400C下退火4h,制备出单-相的Mg2Si薄膜且制备的Mg2si薄膜晶粒致密、均匀和连续,表面平整,
结晶度良好。其次研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生长的影响及Mg膜厚度与退火后生成的Mg2SsI薄膜厚度之间的关系。结果表明,Mg膜厚度在2.52μm、2.72 μ m时,表现出了良好的结晶度和平整度,Mg2Si薄膜的厚度随Mg厚度的增加而增加约为
Mg厚度的0.9-1.1倍。该研究将对以Mg2Si薄膜为基设计器件起重要指导作用。最后,研究了Mg2Si基异质结发光器件的制备,
在S衬底上制备了Mg2Si/Si、S/Mg2Si/Si异 质结LED器件,采用四探针测试系统、半导体特性分析仪、稳态瞬态荧光光谱仪等
设备对Mg2Si/i、Si/Mg2Si/Si异 质结进行电学、光学性质研究。结果表明:Mg2S薄膜的电阻率和方块电阻随着Mg2Si厚度的
增加而减小;Mg2Si/Si、S/Mg2Si/Si异 质结表现出了较好的单向导通特性且Si/Mg2Si/Si双异质结结构的导通电压比较大,约为3 V;
Mg2Si/n-si异质结器件在波长为1346 nm时,光致发光强度最大。在绝缘衬底上制备的Mg2Si薄膜,在波长为1346 nm时,光致发光强度最大;
对比不同衬底上制备Mg2Si薄膜的光致发光,在高纯石英衬底制备的Mg2Si薄膜发光性能更好，且具有红外单色发光特性。
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