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材料名称：Ag2Te
性质分类：拓扑绝缘体，热电材料，红外材料，离子导体
禁带宽度：0 eV
合成方法：CVT
晶体结构：monoclinic
剥离难易程度：难
参考文献
1，Miyatani, Shin-ya. "Ionic Conduction in β-Ag2Te and β-Ag2Se." Journal of the Physical Society of Japan 14.8 (1959): 996-1002.
2，Tregouet, Y., and J. C. Bernede. "Silver movements in Ag2Te thin films: switching and memory effects." Thin Solid Films 57.1 (1979): 49-54.
3，Zhang, Wei, et al. "Topological Aspect and Quantum Magnetoresistance of β− Ag 2 Te." Physical review letters 106.15 (2011): 156808.
晶体结构和能带结构：
EDS元素分析：
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