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基底： 300nm氧化层硅片，5um等距金电极
结构：先剥离单层MoS2到指定位置，然后转移少层TiS3三硫化钛到MoS2位置上，形成MoS2-TiS3/MoS2-TiS3 三个区域。可分别对单独的两种材料和异质结进行FET性质测试。
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