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产品： 单晶碳化硅衬底SiC

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详细介绍

名称：单晶碳化硅衬底 SiC
尺寸：2 英寸
晶向：<0001> 
4H-SiC 
双面抛光
表面粗糙粗：<1nm 
厚度：350±10 μm 
高纯不掺杂
D 级片

尺寸：2 英寸
晶向：<0001> 
4H-SiC 
双面抛光
表面粗糙粗：<1nm
厚度：350±10 μm 
半绝缘（掺钒）
D 级片

尺寸：2 英寸
晶向：<0001> 
4H-SiC
双面抛光
表面粗糙粗：<1nm 
厚度：350±10 μm 
导电型（掺氮）
D 级片

尺寸：2 英寸
晶向：<0001> 
主定位边：<10-10> 
表面粗糙粗：<1nm 
厚度：330/430±10 μm 
级别：工业研究级别






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