产品: 锰离子插层MXene Ti2C
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详细介绍
产品信息:
名称:锰离子插层MXene Ti2CTx
尺寸:1-5um
纯度:99%
储存条件:低温干燥密封务必惰性气氛中保存
工艺:HF处理或HCl+LiF处理
在Ti3C2Tx中引入高导电性的锰离子以制备一种高性能电磁屏蔽材料。文中探讨了Ti3C2Tx的阳离子插层机理,锰离子倾向于与界面含氧末端成键,以Mn 3d和O 2p的轨道杂化的方式结合。阳离子插层可以扩大层间距,提升Ti3C2Tx的电导率。Ti3C2Tx中引入高导电性的锰离子后,制备的MSCs表现优异的储能能力和突出的电磁干扰屏蔽效率
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