产品: 光刻工艺
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详细介绍
光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构,再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。北科纳米目前掌握电子束光刻,步进式光刻,接触式光刻等多种光刻技术.
技术应用
光刻技术主要应用于半导体器件,集成电路制造过程中。
工艺能力
电子束光刻:最小线宽50nm,精度可达10%。 步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。 接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um
我们的优势
根据客户需求,定制最具性价比光刻方案 精度高,线宽小 衬底尺寸范围1cm至6英寸 图形保真度高
温馨提示:北京北科新材科技有限供应产品仅用于科研,不能用于人体。部分网站示意图源自互联网,图片仅供参考,请以实际测试结果为准,如有侵权请联系我们立即删除。产品参数仅供参考,请以实际值为准! |
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