产品: TSV通孔
提示说明:纳米材料工艺和制备可能会有改变 所有纳米材料均支持按需定制 下单前联系客服确认产品详细信息。
详细介绍
TSV技术(穿透硅通孔技术),一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。北科纳米掌握TSV最新技术,能够帮助客户完成TSV个性化要求。
技术应用
TSV技术作为微电子制造最具前途的技术之一,目前已经广泛应用于MEMS器件,存储器,图像传感器,功率放大器,生物应用设备和多种手机芯片。
工艺能力
通孔直径: 20-30um 深宽比:10:1 通孔材料:铜,金 通孔状态:实心孔,空心孔
我们的优势
图形可定制 通孔良率高 可批量生产 工艺技术成熟
温馨提示:北京北科新材科技有限供应产品仅用于科研,不能用于人体。部分网站示意图源自互联网,图片仅供参考,请以实际测试结果为准,如有侵权请联系我们立即删除。产品参数仅供参考,请以实际值为准! |
留言咨询 |
- 上一款: PDMS工艺
- 下一款: 石墨烯FET(机械剥离)