产品: CVD 二硒化钼:MoSe2 孤立晶粒
提示说明:纳米材料工艺和制备可能会有改变 所有纳米材料均支持按需定制 下单前联系客服确认产品详细信息。
详细介绍
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
产品简介:
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几个微米到几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
二硒化钼连续膜(含多层区域)
温馨提示:北京北科新材科技有限供应产品仅用于科研,不能用于人体。部分网站示意图源自互联网,图片仅供参考,请以实际测试结果为准,如有侵权请联系我们立即删除。产品参数仅供参考,请以实际值为准! |
留言咨询 |
- 上一款: 氮化硼 hBN 铜基底六方氮化硼薄膜 h-
- 下一款: 黑磷/InSe 异质结