CVD TMDC 二维薄膜/异质结
产品： CVD 二硒化钼：MoSe2 孤立晶粒 连续薄膜
编号：BK2020073001
CAS号：
价格： ￥2938
货号：BK2020073001-19
规格：
提示说明：纳米材料工艺和制备可能会有改变 所有纳米材料均支持按需定制 下单前联系客服确认产品详细信息。
详细介绍
制造方法：
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
产品简介：
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几个微米到几十微米。
2） 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜，上面有多层区域。
3） 基底：MoSe2可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。
应用领域：
光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。
二硒化钼连续膜（含多层区域）
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