性能参数：

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• 产品型号	GaN-FS-M-U/N/SI-S
  尺寸	（5.0~10.0）× 10.0 mm2
  	（5.0~10.0）× 20.0mm2
  厚度	350±25μm
  晶面	（1100）
  斜切角	-1°±0.2°
  TTV	≤10μm
  弯曲度	≤10μm
  导电类型 电阻率（300 K）	N-type  < 0.1Ω·cm
  	N-type < 0.05Ω·cm
  	Semi-Insulating > 106Ω·cm
  位错密度	From 1x105 to 3x106 cm-2
  有效面积	>90%
  抛光	Front Surface：Ra＜0.2 nm（polished）
  	Back Surface：1-3nm(fine ground); option：<0.2nm(polished).
  包装	Packaged in a class 100 clean room environment, in single container,under a nitrogen atmosphere.