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产品: AgInP2S6晶体

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详细介绍

材料名称:AgInP2S6

性质分类:半导体,非线性材料,铁电材料

禁带宽度:1.147 eV

合成方法CVT

剥离难易程度:

材料性质参考文献:

1,   https://doi.org/10.1039/C7RA13519J

Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach


2,   https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956

Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals

晶体结构:

能带结构:

高定向结晶XRD




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