产品: AgInP2S6晶体
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详细介绍
材料名称:AgInP2S6
性质分类:半导体,非线性材料,铁电材料
禁带宽度:1.147 eV
合成方法:CVT
剥离难易程度:易
材料性质参考文献:
1, https://doi.org/10.1039/C7RA13519J
Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach
2, https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956
Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals
晶体结构:
能带结构:
高定向结晶XRD
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