CVD TMDC 二维薄膜/异质结

产品： MoS2/TiS3三硫化钛 二硫化钼异质结

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详细介绍

基底： 300nm氧化层硅片，5um等距金电极

结构：先剥离单层MoS2到指定位置，然后转移少层TiS3三硫化钛到MoS2位置上，形成MoS2-TiS3/MoS2-TiS3 三个区域。可分别对单独的两种材料和异质结进行FET性质测试。



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