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已传文件:photo/2020323173057582.png ,同时具有n-型和p-型半导体特性。由于WSe2与钯材料接触时表现出p型电荷载流子的导电性,p型WSe2半导体的异质结构器件研究热点。济南大学逄金波、刘宏团队及合作者在InfoMat上发表的题为“WSe2 2D p-type semiconductor-based electronic devices for information technology: design, preparation, and applications”的综述文章中,系统的调研了p型二维材料二硒化钨的结构性质,尤其是详细介绍了化学气相方法、金属有机化学气相沉积方法等,可以用于指导创新的设计制备技术。然后,介绍了信息器件的应用。文章从四个角度对WSe2材料研究进行了展望。首先,应该不断优化WSe2的合成策略。第二,利用掺杂策略或缺陷工程可以丰富电荷输运行为的调控。第三,应该考虑高质量WSe2材料的器件阵列和系统集成。最后,WSe2的基本性质,如激子、旋转运输、能谷电子输运随着先进表征技术的发展,已成为研究热点。这些表征技术包括扫描隧道显微镜、测试电流的原子力显微镜、 飞秒时间分辨-泵浦-探测光谱学、电学探针台与强磁场(霍尔测量)、磁谱以及施加偏压的原位透射电镜。利用电学控制或应变工程对带电激子进行控制。
该工作发表在InfoMat(DOI: 10.1002/inf2.12093)上。
个人或团队简介:逄金波,济南大学前沿交叉科学研究院,副研究员,硕士生导师。主要研究二维材料的大面积可控合成及信息器件,发表论文 30 余篇,被引 1000次,H 因子 17。
刘宏,教授,博士生导师,2009 年获得国家杰出青年科学基金。主要研究纳米能源材料、组织工程与干细胞分化、人工晶体材料等。近十年来承担了包括 863、973、自然基金重大项目在内的十余项国家级科研项目。在Adv. Mater.等发表通讯作者文章 200余篇,影响因子大于 10 的 30 余篇,被引17000 余次,H 因子62。
信息来源:MaterialsViews
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