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“ 全无机CsPbIBr2钙钛矿因其合适带隙和出色的环境稳定性而受到了越来越多的关注。但是,高温处理的要求限制了其在柔性设备中的应用。香港城市大学Walid A. Daoud在Seed-Assisted Growthfor Low-Temperature-Processed All-Inorganic CsPbIBr2 Solar Cells withEfficiency over 10%一文中通过引入卤化甲基铵(MAX,X = I,Br,Cl)降低结晶温度来制备高质量CsPbIBr2钙钛矿膜的低温种子辅助生长(SAG)方法。该机理归因于基于MA+的钙钛矿种子充当晶核,从而降低了退火处理期间CsPbIBr2的形成能。研究发现在低温(150℃)下制得的经甲基溴化铵处理的钙钛矿具有微米级的晶粒和优异的电荷性能,获得效率达10.47%。此外,通过SAG法,基于高温(250 ℃)处理的甲基溴化铵处理的钙钛矿器件效率达到11.1%,这是目前CsPbIBr2太阳能电池最高的效率。DOI: 10.1002/smll.202001535”
01—引言重要知识点提炼
1、卤化物铅碘钙钛矿立方相带隙CsPbI3 1.73eVCsPbI2Br 1.91eV(自己添加)CsPbIBr2 2.05eVCsPbBr3 2.3eV 2、CsPbIBr2 发展简史2016年,Ma等人采用双源热蒸发法,制造了第一个基于CsPbIBr2的器件,PCE为4.7%。此后不久,他们通过使用喷雾辅助沉积法将PCE提高到6.3%(2016年)。随后Li等采用常规的一步法,随后进行气辅助处理,PCE为8.02%(2017年)。之后,Zhu等通过简便的分子间交换策略获得PCE为9.16%(2018年),并借助界面修饰将PCE进一步提高到10.71%(2019)。最近,Subhani等通过在TiO2和CsPbIBr2之间引入SmBr3界面层进行有效的电荷转移,获得PCE为10.88%(2019年)。本文采用种晶辅助生长法获得最高效率11.1%。(详情参见论文中的引文)
02—
图文分析
图1. a)不同制造方法的示意图。 并通过不同方法沉积并在b)150 ℃和c)250℃退火的CsPbIBr2钙钛矿膜的表面SEM图。比例为1μm。
2、250℃的Pvsk-Br膜通过SAG方法获得的PSC的PCE达到11.1%,这是迄今为止报道的无机CsPbIBr2 PSC的最高效率。
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