近日，东南大学物理学院倪振华、吕俊鹏教授课题组受邀在Nano Research上发表了题为“How defects influence the photoluminescence of TMDCs”的综述论文，讨论缺陷对二维过渡金属硫族化合物发光性能的影响机制。

二维层状过渡金属硫化物（TMDCs）作为一类具有高激子结合能的直接带隙半导体，在发光领域表现出极大的优势和潜力。现有方法制备的二维TMDC材料往往包含丰富的缺陷结构，对其光致发光过程有着不可忽视的影响。有趣的是，缺陷的影响具有多面性并非百害而无一利。它们既可以作为非辐射复合中心降低材料的量子效率，又可以在合适的调控下助力于发光过程或者赋予材料特殊的性质，例如单光子发射。探究缺陷影响的内在机制对二维TMDC材料的调控和应用都具有重要的指导作用。

因此，本文从机制角度综述了缺陷对二维TMDC 材料光致发光性能的多种影响，首先着重于缺陷对激子辐射复合的影响，然后详细介绍了缺陷相关的非辐射复合载流子动力学过程，以及缺陷对带隙的修正和调控。最后，对缺陷调控在二维TMDC材料光致发光领域中存在的挑战和前景进行了展望。

东南大学为论文第一单位，物理学院硕士研究生周梦凡为本文的第一作者，倪振华教授和吕俊鹏教授为论文共同通讯作者。该工作受到国家重点研发计划，国家自然科学基金等项目的资助。

论文链接

https://doi.org/10.1007/s12274-020-3037-9

倪振华教授

东南大学物理学院院长，博士生导师，东南大学青年首席教授。2014年获国家自然科学基金“优秀青年科学基金”资助。2018年入选教育部青年人才项目。主要研究方向为二维层状材料（石墨烯、二硫化钼、黑磷等）的光学与光电性能，发表SCI论文140余篇，SCI他引9000余次，H-index=43，授权专利13项。中国物理学会光散射专业委员会委员，Scientific Reports以及Frontiers in Condensed Matter Physics编委,<中国光学>青年编委。

吕俊鹏教授

东南大学物理学院，博士生导师，青年首席教授，国家“高层次人才青年计划（青千）”获得者，江苏省“双创人才”，东南大学“青年紫金学者”。主要从事微纳光学、光电子学等研究工作，在低维材料激光微纳改性、低维材料微纳光电子器件和低维材料光致载流子动力学等领域取得了创新性的研究成果，并利用石墨烯、硫化钼、磷烯等二维材料研发了一系列光电器件、热电能源器件、微纳光电材料与芯片，发表SCI论文六十余篇。承担或联合承担国家自然科学基金委重大培育项目、青年项目、科技部重点研发项目、江苏省“六大人才高峰”项目等，担任半导体学报青年编委，江苏省青联委员、省青科协理事。

信息来源：牛顿的四维口袋

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