二维纳米材料制备技术的快速发展为高性能电子器件的设计与应用提供了重要基础。由于电子器件需要在介电层上进行组装与集成，因此，研究有机分子的自组装行为，在绝缘衬底表面上直接构筑均匀的二维纳米材料对于研究材料的基本物理性质、开发规模化应用具有重要意义。

图1 前封面，示意了MOF薄膜的面对面限域组装过程在国家自然科学基金委和中国科学院战略性先导科技专项（B类）的支持下，化学所有机固体实验室的科研人员在金属有机框架 (MOF) 材料的可控组装与规模化制备方面开展了系列研究。 他们以六羟基苯并菲(HHTP)为有机配体，通过化学气相沉积技术研究了水-氧气氛对晶体生长的影响，制备了高质量的Cu₃(HHTP)₂MOF材料 (Mater. Chem. Front. 2020, 4, 243)；利用电化学技术，以六羟基苯并菲、苯-1,3,5-三基三硼酸(BTPA)、2,4,6-三羟基-1,3,5-苯三甲醛(TBTC)等为有机配体，通过施加外电压使其向阳极迁移并与解离出的铜离子在阳极表面发生配位反应，制备了均匀的二维Cu₃(HHTP)₂、Cu₃(BTPA)₂、Cu₃(TBTC)₂等MOF薄膜，并将它们转移到硅片衬底上，组装了电子器件(Angew. Chem. Int. Ed. 2021, 60, 2887)。

图2 (a) 二维Cu2(TCPP) MOFs的结构示意图；(b) XRD；(c) HRAFM图像；(d) (100)面的Cryo-TEM图像；(e) (001)面的Cryo-TEM图像。 最近，该研究团队从毛细现象中获得灵感，提出了制备二维MOF薄膜的限域生长策略。该方法利用毛细力将制备二维MOF薄膜的铜离子和5,10,15,20-四(4-羧基苯基)卟啉(TCPP)交替引入到由两片绝缘衬底组成的狭缝内，在限定的区域内发生配位反应，从而在石英、蓝宝石、硅片等绝缘衬底表面上直接生长出大面积的二维Cu2(TCPP) MOF薄膜。该方法不需要衬底转移，与目前的硅加工工艺相兼容。通过XRD、HRAFM和Cryo-TEM等仪器测试表明，该方法制备的MOF薄膜具有高的晶体质量, 其薄膜电导率为0.007 S cm^-1，相比其它羧酸基MOF材料（10^–6 S cm^–1）提高了3个数量级。同时，该策略也适用于制备Cu₃(HHTP)₂, Co₃(HHTP)₂ 和 Ni₃(HHTP)₂ 等二维MOF材料，具有普适性。该成果发表在 Advanced Materials期刊上 (Adv. Mater. 2021, 33, 2007741)，并被选为前封面。论文第一作者为博士生刘友星，通讯作者为陈建毅研究员和刘云圻院士。