NML研究文章|界面作用“显身手”:NiSe2/Ti3C2Tx(MXene)助力超电及电催化分解水!
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详细介绍

    

本文亮点 

1  采用超薄MXene纳米片包裹NiSe2八面体晶体,建立了NiSe2纳米晶体与MXene纳米片(NiSe2/Ti3C2Tx)之间的强界面化学相互作用。

2  NiSe2/Ti3C2Tx复合在超级电容器和析氢反应中均表现出优异的性能和循环稳定性。

3  NiSe2纳米晶是因MXene纳米薄片作为其氧化的保护层而稳定的。

内容简介

硒化金属化合物,如NiSe2,作为一种多功能的储能和交流材料,显示出巨大的潜力。然而,由于纯NiSe2循环稳定性差、电导率低、电化学活性位点不足,限制了其作为电极材料的应用。

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为了弥补这些缺陷,重庆大学董立春教授课题组采用超薄MXene纳米片包裹NiSe2八面体晶体,制备了一种界面相互作用强、电性能优良的新型NiSe2/Ti3C2Tx复合体。

NiSe2/Ti3C2Tx混合表现出良好的电化学性能,在电流密度为1 A/g时,超级电容器的比电容的高达531.2 F/g,同时,用于析氢反应时,塔费尔斜率仅仅为37.7 mV/dec

此外,NiSe2/Ti3C2Tx复合材料在超级电容器和HER中的循环稳定性都得到了提高。

相比于NiSe2,这些显著的改善应归因于NiSe2八面体晶体和Ti3C2Tx强的界面相互作用,提供增强的电导率、快速电荷转移以及丰富活跃的活性位点,同时这种组合的多功能应用是有潜力的,如能量储存和转换。

图文导读

NiSe2和NiSe2/Ti3C2Tx复合材料的微观形貌与结构分析

如图1所示,未修饰的NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx复合材料在扫描电镜下均表现出典型的八面体配置,平均尺寸在1μm左右。

然而,NiSe2/Ti3C2Tx晶体表面的玻璃似乎相对较多。TEM进一步分析表明,这一现象可能是由于八面体NiSe2粒子表面均匀覆盖了Ti3C2Tx纳米薄片的超薄层(1c),这可能为电荷存储或电催化提供了额外的电输运路径。


不含(a)和含(b)Ti3C2Tx复合物的NiSe2SEM图像。(cd)不同放大倍数的NiSe2/Ti3C2Tx复合物的TEM图像。(e)HAADFSTEM图像的NiSe2/Ti3C2Tx混合和相应的EDX元素映射的Ni, Se,和Ti元素。

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NiSe2和NiSe2/Ti3C2Tx复合材料的电化学性能分析

NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx复合材料的超电性能分析

从图3可以看出,相比于未修饰的NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx复合材料的容量有较大程度的提高,此外,由于MXene的表面修饰,材料的导电性也有了较大提高,接触内阻也有所下降。 


超级电容器在2 M KOH溶液中的性能: (a) 未修饰NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx10 mV/s扫速下的CV图。(b)未修饰NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx1.0 A/g电流密度下的GCD曲线。(c)未修饰NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx的电流密度比容图。(d)未修饰的NiSe2NiSe2/Ti3C2TxNyquist(插图为高频区域和拟合实验数据的等效电路)

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NiSe2NiSe2/Ti3C2Tx复合材料的HER性能分析

如图4所示,该复合产物具有较好的催化活性。NiSe2/Ti3C2Tx电极性能的提高是由于电荷从NiSe2转移到Ti3C2Tx,这可能提供了更快的吸附动力学和更高的活性位点利用率,从而提高了HER效率


图4 在0.5 M H2SO4溶液中的催化性能:(a)未改性的NiSe2、NiSe2/Ti3C2Tx复合物、纯Ti3C2Tx、20 wt%Pt/C在扫描速率为5 mV/s的玻碳电极的LSV曲线。(b)未改性的NiSe2、NiSe2/Ti3C2Tx复合物、纯Ti3C2Tx、20 wt%Pt/C的Tafel图。(c)用循环伏安法提取不同电极的双层电容。(d)不同电极材料阻抗图。

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