光敏卤化物钙钛矿的溶液可加工性使其有别于传统的无机半导体材料，传统的无机半导体材料需要热/真空/吹塑&溶剂辅助处理等多个后处理步骤。
近日，宾夕法尼亚州立大学帕克分校Shashank Priya，Kai Wang报道了一项技术突破，即在室温（RT）下等温结晶高质量的钙钛矿薄膜，而不需要任何后处理。
该技术利用了一种由三维钙钛矿通过胺辅助的晶格膨胀而形成的低维亚稳中间体。研究人员采用原位光电/化学和非原位结构表征，详细的阐明了低维亚稳中间体结构。

与亚稳中间体一起，溶剂和胺的快速蒸发有助于在数秒内实现RT下的超快结晶。由RT快速合成的钙钛矿薄膜具有2.9 µm的载流子扩散长度和{0 0ℓ}的择优取向，超高的Lotgering因子达到97%。这些薄膜与传统或倒置器件高度兼容，分别具有22.3%和23.1%的高功率转换效率。Kai Wang, et al, Isothermally Crystallize Perovskites at Room-Temperature, Energy Environ. Sci., 2020DOI: 10.1039/D0EE01967Dhttps://dx.doi.org/10.1039/D0EE01967D