2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂）

编号：BK2020081712

CAS号：

价格： 
￥1680


货号：BK2020081712-04

规格：

数量：

5分钟轻松选对产品方案

17715390137
18101240246
18914047343

详细介绍

性能参数：

产品型号 GaN-T-C-U-C50

尺寸 50.8 ± 1 mm

厚度 350 ± 25 μm

晶体取向 C-plane(0001) ± 0.5°

导电类型 N-type(Undoped)

电阻率（300 K） < 0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50)

载流子浓度 < 5x10¹⁷cm^-3

迁移率 ~ 300cm²/V•s

位错密度 Less than 5x10⁸ cm^-2(estimated by FWHMs of XRD)

衬底结构 GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP)

有效面积 >90%

包装 Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
or single container , under a nitrogen atmosphere.

扫描图：

温馨提示：北京北科新材科技有限供应产品仅用于科研，不能用于人体。网站图片源自互联网，图片仅供参考，请以实物为准，如有侵权请联系我们立即删除。产品参数仅供参考，请以实际值为准！

留言咨询

扫码关注微信公众号
QQ交流群：1092348845

下一款：石墨烯FET（机械剥离）上一款：没有了...

产品型号	GaN-T-C-U-C50
尺寸	50.8 ± 1 mm
厚度	350 ± 25 μm
晶体取向	C-plane(0001) ± 0.5°
导电类型	N-type(Undoped)
电阻率（300 K）	< 0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50)
载流子浓度	< 5x10¹⁷cm^-3
迁移率	~ 300cm²/V•s
位错密度	Less than 5x10⁸ cm^-2(estimated by FWHMs of XRD)
衬底结构	GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP)
有效面积	>90%
包装	Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs or single container , under a nitrogen atmosphere.

北科产品中心 products center

北科新材

2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺杂）

性能参数：