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器件结构： 导电硅片/300nm 氧化硅层/三角MoS2 或者手撕单层MoS2/Au+Cr+Au电极
样品实例
1) 机械剥离单层MoS2 背栅FET（单层，5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）
2） 机械剥离少层MoS2背栅FET（~3层，5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）
3） 机械剥离多层MoS2 背栅FET (~5层， 5um宽沟道，300nm氧化硅片基底）
4) CVD三角MoS2 单晶 ，背栅FET（单层，5um宽沟道，300nm氧化硅片）
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