北科纳米器件独立建设有完整的微纳器件试验线，主要设备包括：

激光直写曝光机：

曝光波长405nm

直写面积：最大100*100mm

曝光精度：最小2um

适用于任意图形书写，直接图形书写图案时不需要掩模版。也可以用于制作接触式光刻机用的掩模版。

接触式紫外曝光机

曝光波长365nm

曝光面积，4英寸

曝光精度1um

RIE反应离子蚀刻机

工艺气体：CF4，SF6，O2，Ar

用于二维半导体薄膜，石墨烯等薄膜材料的刻蚀。也可用于硅，氧化硅，玻璃等半导体材料的刻蚀。

刻蚀深度一般不大于2um。

等离子体清洗机

工艺气体：Ar， O2

用于石墨烯刻蚀，等离子体去胶等工艺。

薄膜沉积：

电子束蒸发镀膜机1号机（金属镀膜专用）。

专用于金，钛，铬，铋，锑，银，铂，钯等常用金属电极材料的沉积。

电子束蒸发镀膜机2号机（介质膜镀膜专用）

专用于氧化铝Al2O3，氧化硅，氧化钛，氧化钒，氮化钛，氮化硅等介质膜材料的沉积。

3靶 磁控溅射镀膜机 （金属镀膜专用）。

专用于金属直流磁控溅射镀膜和反映溅射镀膜。

2靶 磁控溅射镀膜机 （介质膜镀膜用）

用于金属直流磁控溅射镀膜和射频溅射镀膜（不导电材料）。

辅助设备：

金线 绑定bonding设备

二维材料定位转移设备（异质结搭建，定位转移）

用于二维材料定位转移和异质结搭建。

其他辅助设备例如：多种规格匀胶机，事发刻蚀台，纯水机等微加工配套设备。

每一个器件工艺步骤器件实验室都有两套基于不同方式实现的设备，互为备份，可保证研发过程不会因为设备宕机而中断，加快器件demo的时间进程。

此外，基于研发需求，北科纳米在不断自研或者采购多种用于特殊器件工艺的研发型设备，推动基于前沿材料的器件研发尽快走向实用化。