同步辐射/SEM氮化硅膜窗格

202052917920664.pdf

编号：BK2020042702

CAS号：

价格： 
￥1490


货号：BK2020042702-19

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详细介绍

为满足科研人员对样品的观测需求，我们采用先进的微电子工艺，设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜（SEM）的标准氮化硅膜窗格。我们的氮化硅膜窗格具有高洁净度，高X-射线透射性，低应力，高强度且膜厚均匀一致的特性，适用于高温（～1000℃）实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。

产品特点
超洁净
100级洁净环境
严格选用硅衬底材料
先进的工艺水平
高强度
薄膜应力<250Mpa
薄膜最薄可至10nm
窗口大小可至2cm
超平整
粗糙度低于0.5nm
均匀性优于5%
理化稳定性优良
耐酸（氢氟酸除外），耐碱，耐有机溶剂
易使用等离子体清洗
X射线透过率高

技术参数

外框项目	参数	外框项目	参数
材料	N型硅	电阻率	1~10Ω-cm
氮化硅膜参数	参数	氮化硅膜参数	参数
材料	LPCVD 氮化硅薄膜	应力	<250MPa
介电常数	6-7	介电强度	10（106 V/cm ）
电阻率	1016Ω-cm	粗糙度（Ra)	0.28±5%nm
折射率@630nm	2.15-2.17	粗糙度(Rms)	0.40±5%nm

应用范围

纳米材料，半导体材料，光学晶体材料，功能薄膜材料

胶体，气凝胶，有机材料和纳米颗粒的表征实验

含碳样品分析（光阻剂，聚合物，食品，油品，燃料等）

作为生物、细胞载体

产品规格

此款窗格提供三种不同外框尺寸（5mm，7.5mm，10mm）以供选择，硅衬底厚度均为200μm。

产品编号	膜厚	窗口尺寸	外框尺寸
TE025Z	10nm	0.25x0.25mm	5x5mm
TE050Z	10nm	0.5x0.5mm	5x5mm
TE025Y	20nm	0.25x0.25mm	5x5mm
TE050Y	20nm	0.5x0.5mm	5x5mm
TE025A	30nm	0.25x0.25mm	5x5mm
TE050A	30nm	0.5x0.5mm	5x5mm
TE100A	30nm	1x1mm	5x5mm
TE025B	50nm	0.25x0.25mm	5x5mm
TE050B	50nm	0.5x0.5mm	5x5mm
TE100B	50nm	1x1mm	5x5mm
TE150B	50nm	1.5x1.5mm	5x5mm
TE200B	50nm	2x2mm	5x5mm
TE025C	100nm	0.25x0.25mm	5x5mm
TE050C	100nm	0.5x0.5mm	5x5mm
TE100C	100nm	1x1mm	5x5mm
TE150C	100nm	1.5x1.5mm	5x5mm
TE200C	100nm	2x2mm	5x5mm
TE75050C	100nm	0.5x0.5mm	7.5x7.5mm
TE75200C	100nm	2x2mm	7.5x7.5mm
TE100300C(5pcs)	100nm	3x3mm	10x10mm
TE100500C(5pcs)	100nm	5x5mm	10x10mm
TE010D	200nm	0.1x0.1mm	5x5mm
TE025D	200nm	0.25x0.25mm	5x5mm
TE050D	200nm	0.5x0.5mm	5x5mm
TE100D	200nm	1x1mm	5x5mm
TE150D	200nm	1.5x1.5mm	5x5mm
TE200D	200nm	2x2mm	5x5mm
TE250D	200nm	2.5x2.5mm	5x5mm
每盒包含10枚芯片（部分产品除外）

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