北科纳米合作生产的TEM氮化硅膜窗格由先进的微电子工艺打造,可用于微纳米样品高分辨电镜观测。此款窗格为3mm外径的八边形,适用于所有TEM样品杆,为适用于多种实验条件,北科纳米为科研人员提供了单窗格,多窗格及微孔窗格三种标准产品。氮化硅膜采用低应力技术(<250MPa),氮化硅膜薄透且不易破损,非常适合于前沿的生物、材料、物理、化学等方面的研究。
100级洁净环境
严格选用硅衬底材料
先进的工艺水平
薄膜应力<250Mpa
薄膜最薄可至10nm
窗口大小可至2cm
粗糙度低于0.5nm
均匀性优于5%
耐酸(氢氟酸除外),耐碱,耐有机溶剂
外框项目 | 参数 | 外框项目 | 参数 |
材料 | N型硅 | 电阻率 | 1~10Ω-cm |
氮化硅膜参数 | 参数 | 氮化硅膜参数 | 参数 |
材料 | LPCVD 氮化硅薄膜 | 应力 | <250MPa |
介电常数 | 6-7 | 介电强度 | 10(106 V/cm ) |
电阻率 | 1016Ω-cm | 粗糙度(Ra) | 0.28±5%nm |
杨氏模量 | 270GPa | 粗糙度(Rms) | 0.40±5%nm |
产品编号 | 膜厚 | 窗口尺寸 | 立即购买 |
SG010Z | 10nm | 0.10×0.10mm |
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SG015Z | 10nm | 0.15×0.15mm |
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SG025Z | 10nm | 0.25×0.25mm |
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SG050Z | 10nm | 0.50×0.50mm |
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SG025A | 15nm | 0.25x0.25mm |
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SG050A | 15nm | 0.5x0.5mm |
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SG100A | 15nm | 1x1mm |
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SG025B | 30nm | 0.25x0.25mm |
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SG050B | 30nm | 0.5x0.5mm |
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SG100B | 30nm | 1x1mm |
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SG025C | 50nm | 0.25x0.25mm |
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SG050C | 50nm | 0.5x0.5mm |
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SG100C | 50nm | 1x1mm |
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SG050D | 100nm | 0.5x0.5mm |
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SG025E | 200nm | 0.25x0.25mm |
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SG050E | 200nm | 0.5x0.5mm |
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每盒包含10枚芯片 |
产品编号 | 膜厚 | 窗口尺寸 | 窗口数 | 窗口间距 |
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AR010Z | 10nm | 0.1x0.1mm | 9 | 0.35nm |
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AR010A | 15nm | 0.1x0.1mm | 9 | 0.35mm |
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AR010B | 30nm | 0.1x0.1mm | 9 | 0.35mm |
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AR010C | 50nm | 0.1x0.1mm | 9 | 0.45mm |
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TA015A | 15nm | 0.1x1.5mm | 2 | 0.45mm |
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TA015C | 50nm | 0.1x1.5mm | 2 | 0.45mm |
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每盒包含10枚芯片 |
产品编号 | 膜厚 | 窗口尺寸 | 孔径 | 阵列 | 孔心间距 |
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ME050B | 30nm | 0.5x0.5mm | 2.8μm | 45x45 | 10μm |
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ME050C | 50nm | 0.5x0.5mm | 2.0μm | 45x45 | 10μm |
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ME050C10 | 50nm | 0.5x0.5mm | 10μm | 32x32 | 15μm |
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ME050E05 | 200nm | 0.5x0.5mm | 5μm | 49x49 | 10μm |
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每盒包含10枚芯片 |
产品编号 | 膜厚 | 窗口尺寸 | 孔径 | 阵列 | 孔心间距 |
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NE005C10 | 50nm | 50×50μm | 1.0μm | 15x15 | 2.0um |
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NE050C10 | 50nm | 0.5x0.5mm | 1.0μm | 15x15x4 | 5.0μm |
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NE005E10 | 200nm | 50×50μm | 1.0μm | 15x15 | 2.0μm |
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NE050E10 | 200nm | 0.5x0.5mm | 1.0μm | 15x15x4 | 5.0μm |
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每盒包含10枚芯片 |
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